概述Description
QX155 内部有一个GaAIAs红外发光二极管和集成的高增益、高速光电探测器。QX155采用SOP5封装。光电探 测器内部有一个法拉第屏蔽，保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
QX155适用于IGBTs或功率MOSFETs的栅极 驱动电路。 TheQX155consistsofa GaAIAsinfraredlight-emitting diodesandintegrated highgain, high-speed photodetector. The QX155ishousedintheSOP5package.Thereisa Faradayshieldinsidethephotodetector,whichcanguaranteethecom monmodetransientimmunityof± 20kV/us.QX155issuitablefordirectgatedrivingcircuitfor IGBTsor powerMOSFETs.
特性Features
工作温度范围：-40℃to+105℃； Operating temperature range:-40℃ ~ +105℃;
延迟时间最大为200ns 200ns maximum propagation delay
共模瞬态抗扰度：±20kV/us； Common mode transient immunity:±20kV/us (min);
传播延迟倾斜：±85ns； Propagation delay skew: ±85ns (max)
隔离电压：3750Vrms (最小值) Isolation voltage: 3750Vrms (min)
符合加强绝缘标准 Meet reinforced insulation standards.
可替代
TLP155A TLP155E TLP701A TLP705A VOM1271 LTV-155E OR155E
